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“RZC2013E代理,RZC2013价格,RZC2013封装ESOP8”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | ROHS |
| 封装： | ESOP8 | 功能结构： | 数/模混合集成电路 |
| 制作工艺： | 半导体集成电路 | 导电类型： | 双极型 |
| 外形： | 双列直插型 | 集成度高低： | 大规模集成电路 |
| 应用领域： | 标准通用 | 型号： | RZC2013 |
| 规格： | 标准包装 | 商标： | RZC |
| 包装： | 原包装 |
“RZC2013E代理,RZC2013价格,RZC2013封装ESOP8”详细介绍
RZC2013 是一款同步整流电流模式降压型的稳压器，其输入电压范围为 4.75V 到 27V,
输出电压可低达 0.925V，可提供高达 2A 的负载电流。电话:180276619672 QQ:1540182856
RZC2013 采用电流模式控制方式来调节输出电压。输出电压的变化经由电阻分压器反
馈到 FB 脚，并通过差分放大器放大得到 COMP 脚电平的变化。为保持 FB 脚电平稳定， COMP
脚电压与内部参考电平相比较控制高低端 MOS 的开关状态，来抑制输出电压的变化，实现对
输出电压的调节。
RZC2013 采用内置 N 沟道 MOSFET 开关将输入电压降低到调整的输出电压。由于高端
MOSFET 的栅极电压需要比输入电压高，在 SW 和 BS 之间连接一个升压电容器用来驱动高端
栅极。当 SW 为低时，自举电容从内部 5V 电源充电。
当 RZC2013 的 FB 引脚超过 0.925V 的标称稳压值的 20％时过压比较器被触发工作，COMP
引脚和 SS 引脚通过 GND 开始放电，高端 MOSFET 将关断。
输入电容
输入电容的选择非常重要，如果选择不当就会在工作过程中出现电容炸毁、烧电路等现
象，所以在选择输入电容时建议选择低 ESR、高纹波电流的电解电容作为输入电容，如考虑
到成本问题，也可以选择普通的电解电容和多颗 MLCC 电容并联的方式来解决输入滤波的问
题。
对于 RZC2013 而言，建议输入端选择 100uF 的电解电容作为输入电容，PCB 布局时输入
电容应放置在靠近 VIN 脚和接地管脚，并在靠近 VIN 脚放置 10uF 或者更大容量的 MLCC，可
解决较高电压输入时带满载不能完全启动的问题。
输出电容
输出电容作为输出端的滤波电容，决定着输出纹波的大小、输出电流大小和输出电压的
稳定性，故输出电容容量的大小取决于输出电流的大小，在额定输出电流范围内，输出电流
越大建议使用的输出电容容量就越大，电源系统对输出纹波的要求越小，且输出电流越大的
条件下，建议在输出端使用多颗低 ESR 的电解电容和 MLCC 并联
输出电压可低达 0.925V，可提供高达 2A 的负载电流。电话:180276619672 QQ:1540182856
RZC2013 采用电流模式控制方式来调节输出电压。输出电压的变化经由电阻分压器反
馈到 FB 脚，并通过差分放大器放大得到 COMP 脚电平的变化。为保持 FB 脚电平稳定， COMP
脚电压与内部参考电平相比较控制高低端 MOS 的开关状态，来抑制输出电压的变化，实现对
输出电压的调节。
RZC2013 采用内置 N 沟道 MOSFET 开关将输入电压降低到调整的输出电压。由于高端
MOSFET 的栅极电压需要比输入电压高，在 SW 和 BS 之间连接一个升压电容器用来驱动高端
栅极。当 SW 为低时，自举电容从内部 5V 电源充电。
当 RZC2013 的 FB 引脚超过 0.925V 的标称稳压值的 20％时过压比较器被触发工作，COMP
引脚和 SS 引脚通过 GND 开始放电，高端 MOSFET 将关断。
输入电容
输入电容的选择非常重要，如果选择不当就会在工作过程中出现电容炸毁、烧电路等现
象，所以在选择输入电容时建议选择低 ESR、高纹波电流的电解电容作为输入电容，如考虑
到成本问题，也可以选择普通的电解电容和多颗 MLCC 电容并联的方式来解决输入滤波的问
题。
对于 RZC2013 而言，建议输入端选择 100uF 的电解电容作为输入电容，PCB 布局时输入
电容应放置在靠近 VIN 脚和接地管脚，并在靠近 VIN 脚放置 10uF 或者更大容量的 MLCC，可
解决较高电压输入时带满载不能完全启动的问题。
输出电容
输出电容作为输出端的滤波电容，决定着输出纹波的大小、输出电流大小和输出电压的
稳定性，故输出电容容量的大小取决于输出电流的大小，在额定输出电流范围内，输出电流
越大建议使用的输出电容容量就越大，电源系统对输出纹波的要求越小，且输出电流越大的
条件下，建议在输出端使用多颗低 ESR 的电解电容和 MLCC 并联